Affichage de 353–368 sur 495 résultatsTrié par prix décroissant
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
-
100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
