Affichage de 1–16 sur 49 résultatsTrié par prix décroissant
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1 500 CFA
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Tension de drain-source maximale (Vds) : 400V
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Courant de drain maximal (Id) : 10A
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Résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) : 1.0 Ω à Vgs = 10V
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Tension de seuil de la grille (Vgs(th)) : 2V à 4V
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Tension grille-source maximale (Vgs) : ±20V
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Puissance dissipée maximale (Ptot) : 125W
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1 500 CFA
- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 50V.
- Courant maximal de drain (Id) : 80A.
- Rds(on) (résistance de drain à source à l’état « on ») : 0,007Ω (très faible, permettant une faible dissipation thermique et des pertes réduites).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Typiquement entre 1V et 3V.
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1 500 CFA
- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 15V.
- Courant maximal de drain (Id) : 60A.
- Rds(on) (résistance de drain à source à l’état « on ») : 0,008Ω (faible, permettant une réduction des pertes et une meilleure efficacité énergétique).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Typiquement entre 1,0V et 3,0V.
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1 500 CFA
- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 20V.
- Courant maximal de drain (Id) : 60A.
- Rds(on) (résistance de drain à source à l’état « on ») : Environ 0,008Ω, ce qui permet une faible dissipation thermique.
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Typiquement entre 1V et 3V.
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1 500 CFA
- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 30V.
- Courant maximal de drain (Id) : 80A.
- Rds(on) (résistance de drain à source en état « on ») : 0,007Ω (très faible, ce qui réduit les pertes par chaleur et améliore l’efficacité).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Typiquement entre 1,0V et 3,0V.
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1 500 CFA
- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 55V.
- Courant maximal de drain (Id) : 120A (avec un refroidissement adéquat).
- Rds(on) (résistance de drain à source à l’état « on ») : 0,008Ω (très faible, permettant un faible échauffement lors de l’utilisation).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Entre 2V et 4V (tension nécessaire pour activer le transistor).
- Puissance dissipée : Jusqu’à 250W (en fonction des conditions de dissipation thermique).
- Fréquence de commutation : Peut fonctionner efficacement dans des applications de commutation à haute fréquence.
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100 CFA
- Type de transistor : PNP.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 40V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 800mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 60V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 200mA.
- Gain en courant (hFE) : 30 à 150 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 60 à 320 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
- Fréquence de transition (ft) : 100 MHz.
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100 CFA
- Type : MOSFET N-channel.
- Tension maximale drain-source (Vds) : 200V.
- Courant maximal drain (Id) : 30A (à une température ambiante de 25°C).
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 0.09Ω (max à Vgs = 10V).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 à 4V.
- Puissance dissipée : 150W.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 100 à 800 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 15A.
- Puissance dissipée : Jusqu’à 150W.
- Gain en courant (hFE) : 40 à 320 (selon les conditions et les applications).
- Fréquence de transition (ft) : 20 MHz.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 60V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
- Fréquence de transition (ft) : Environ 150 MHz, ce qui le rend adapté aux applications haute fréquence.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 300V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 500mA.
- Gain en courant (hFE) : 100 à 1000 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans des circuits de commutation à haute tension, amplificateurs audio de puissance, et pour des circuits de contrôle de relais.
- Boîtier : TO-220, permettant une dissipation thermique efficace.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 25V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 800mA.
- Gain en courant (hFE) : Variable, généralement entre 40 et 320.
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, amplification de faible à moyenne puissance, et pour le contrôle de relais.
- Boîtier : Boîtier TO-220, permettant une bonne dissipation thermique.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 45V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 100mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, d’amplification faible puissance, et de signal.
- Boîtier : TO-18 (boîtier métallique cylindrique pour montage en surface).
- Fréquence de transition (ft) : 250 MHz (pour des applications RF et de commutation rapide).
