Affichage de 113–128 sur 192 résultatsTrié par prix décroissant
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 300V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 500mA.
- Gain en courant (hFE) : 100 à 1000 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans des circuits de commutation à haute tension, amplificateurs audio de puissance, et pour des circuits de contrôle de relais.
- Boîtier : TO-220, permettant une dissipation thermique efficace.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 25V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 800mA.
- Gain en courant (hFE) : Variable, généralement entre 40 et 320.
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, amplification de faible à moyenne puissance, et pour le contrôle de relais.
- Boîtier : Boîtier TO-220, permettant une bonne dissipation thermique.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 45V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 100mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, d’amplification faible puissance, et de signal.
- Boîtier : TO-18 (boîtier métallique cylindrique pour montage en surface).
- Fréquence de transition (ft) : 250 MHz (pour des applications RF et de commutation rapide).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
