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Disque SSD 250GB Samsung Evo 970 Plus M.2 NVMe MZ-V7S250BW

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  • modele: MZ-V7S250BW
  • Capacité : 250 Go
  • Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.3)
  • Format : M.2 2280
  • Vitesse de lecture : Jusqu’à 3 500 Mo/s
  • Vitesse d’écriture : Jusqu’à 2 300 Mo/s
  • Cache : 512 Mo de DRAM LPDDR4
  • Garantie : 6 mois
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Description

Le Samsung SSD 970 EVO Plus 250 Go (MZ-V7S250BW) est un disque SSD interne NVMe PCIe Gen 3.0 x4 conçu pour les utilisateurs exigeants qui recherchent des performances de pointe, une fiabilité éprouvée et une technologie de pointe pour leur PC de bureau ou portable. Il représente une amélioration significative par rapport à la génération précédente (970 EVO) grâce à l’intégration de la dernière V-NAND de Samsung, offrant des vitesses accrues et une meilleure efficacité.

 

Performances et Technologie

 

Ce SSD utilise l’interface PCIe Gen 3.0 x4 et le protocole NVMe 1.3, ce qui lui permet d’atteindre des vitesses de transfert exceptionnelles pour sa catégorie. Pour le modèle de 250 Go, les vitesses séquentielles annoncées sont de jusqu’à 3 500 Mo/s en lecture et jusqu’à 2 300 Mo/s en écriture. Ces performances sont cruciales pour réduire considérablement les temps de chargement des systèmes d’exploitation, des applications gourmandes en ressources et des jeux vidéo.

En termes d’opérations aléatoires, vitales pour la réactivité globale du système lors du multitâche ou de l’accès à de petits fichiers dispersés, le 970 EVO Plus 250 Go délivre jusqu’à 250 000 IOPS en lecture aléatoire (4KB, QD32) et jusqu’à 550 000 IOPS en écriture aléatoire (4KB, QD32).

Le cœur de ses performances réside dans le Contrôleur Samsung Phoenix, combiné à la toute dernière génération de Samsung V-NAND 3-bit MLC (communément appelée TLC). Pour optimiser les performances d’écriture, il intègre la technologie Intelligent TurboWrite, qui alloue une partie de la mémoire NAND pour fonctionner comme un tampon SLC (Single-Level Cell) ultra-rapide. Cela permet d’obtenir des vitesses d’écriture maximales pour des rafales de données, avant que les données ne soient transférées vers la mémoire TLC. Ce modèle de 250 Go bénéficie également d’une cache DRAM dédiée de 512 Mo (LPDDR4), ce qui améliore considérablement la gestion des tables de mappage (LBA) et maintient des performances soutenues, même sous des charges de travail prolongées.

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