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7 500 CFA
Type de périphérique : Disque dur externe portable (HDD & SSD).
Interface : Généralement USB 3.2 Gen 1, rétrocompatible avec l’USB 2.0.
Vitesses de transfert : Jusqu’à 5 Gbit/s (avec USB 3.2 Gen 1),
Capacités : Disponible dans une large gamme de capacités, couramment de 1 To à 4 To
Alimentation : Alimenté par le port USB (pas besoin d’adaptateur secteur externe).
Conception : Compacte et légère,
Compatibilité : Pré-formaté pour Windows (NTFS), mais peut être reformaté pour être utilisé avec macOS.
Plug-and-Play : Prêt à l’emploi sans installation de logiciel complexe.
Connectivité USB-C : NON
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![Adaptateur USB male vers sata femelle [cable sata]](https://kameu-cm.com/wp-content/uploads/2025/03/3-300x251.png)
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modele : MZ-77E1T0B/AM
Capacité : 1To
Format : 2,5 pouces
Interface : SATA III (6 Gbit/s),
Vitesse de lecture : Jusqu’à 560 Mo/s
Vitesse d’écriture : Jusqu’à 530 Mo/s
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modele : MZ-77E500B/AM
Capacité : 500 Go
Format : 2,5 pouces
Interface : SATA III (6 Gbit/s),
Vitesse de lecture : Jusqu’à 560 Mo/s
Vitesse d’écriture : Jusqu’à 530 Mo/s
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- modele : MZ-77E250B/AM
- Capacité : 250 Go
- Format : 2,5 pouces (idéal pour les ordinateurs portables et de bureau)
- Interface : SATA III (6 Gbit/s),
- Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 560 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 530 Mo/s
- Contrôleur : Contrôleur Samsung MKX
- Mémoire cache : 512 Mo de SDRAM LPDDR4
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- modele : MZ-V9P1T0BW
- Capacité : 1 To (1000 Go)
- Format : M.2 2280
- Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 7 450 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 6 900 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu’à 1 200 000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu’à 1 550 000 IOPS
- Type de mémoire flash : Samsung V-NAND 3-bit MLC
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modele : MZ-V9P2T0BW
Capacité : 2 To (2000 Go)
Format : M.2 2280
Interface : PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 7 450 Mo/s
Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 6 900 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu’à 1 400 000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB, QD32) : Jusqu’à 1 550 000 IOPS
Type de mémoire flash : Samsung V-NAND 3-bit MLC
Contrôleur : Contrôleur interne Samsung (Pascal)
Mémoire cache : 2 Go de SDRAM LPDDR4
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- modele: MZ-V7S2T0BW
- Capacité : 2 To
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.3)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
Garantie : 6 mois
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- modele : MZ-V7S500BW
- Capacité : 1 To
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.3)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture: Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture: Jusqu’à 3 200 Mo/s
- Type de mémoire NAND : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
- Contrôleur : Samsung Phoenix Controller
- Cache : 512 Mo de DRAM LPDDR4
Garantie : 6 mois
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- modele : MZ-V7S500BW
- Capacité : 500 Go
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.3)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture: Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture: Jusqu’à 3 200 Mo/s
- Type de mémoire NAND : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
- Contrôleur : Samsung Phoenix Controller
- Cache : 512 Mo de DRAM LPDDR4
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Garantie : 6 mois
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- modele: MZ-V7S250BW
- Capacité : 250 Go
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.3)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture : Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture : Jusqu’à 2 300 Mo/s
- Cache : 512 Mo de DRAM LPDDR4
- Garantie : 6 mois
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- modele : SSD 980 MZ-V8V2T0BW
- Capacité : 2To
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.4)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 3 000 Mo/s
- Endurance (TBW) : 600 To
- Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures
Garantie : 6 mois limitée
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- modele : SSD 980 MZ-V8V1T0B/AM
- Capacité : 1 To
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4 (NVMe 1.4)
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
- Vitesse d’écriture séquentielle : Jusqu’à 3 000 Mo/s
- Endurance (TBW) : 600 To
- Fiabilité (MTBF) : 1,5 million d’heures
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Garantie : 6 mois limitée
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- modele : SSD 980 MZ-V8V500B/AM
- Capacité : 500 Go
- Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
- Format : M.2 2280
- Vitesse de lecture : Jusqu’à 2 900 Mo/s
- Vitesse d’écriture : Jusqu’à 1 300 Mo/s
- Type de mémoire NAND : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
- Contrôleur : Samsung Pablo (DRAM-less avec technologie HMB)
