Affichage de 17–32 sur 41 résultatsTrié par prix décroissant
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Type : SSD interne
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Interface : PCIe 3.0 x2/x4 – NVMe
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Format : Propriétaire Apple (connecteur 12+16 broches)
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Capacités disponibles : 1 TB
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Vitesse lecture : jusqu’à 3000 Mo/s
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Vitesse écriture : jusqu’à 2100 Mo/s
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Remplaçable : Oui (SSD Apple ou NVMe avec adaptateur)
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Compatibilité OS : macOS 10.13 ou supérieur requis pour NVMe tiers
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Utilisation : Stockage principal rapide – système + apps
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Modèle : Samsung 990 PRO
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe 4.0 x4 – NVMe 2.0
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Capacités : 512 GB
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Contrôleur : Samsung Pascal
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit TLC (7e génération)
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DRAM : Oui – LPDDR4 intégrée
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 7 450 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 6 900 Mo/s
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IOPS lecture/écriture : Jusqu’à 1 400K / 1 550K
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TBW (endurance) : Jusqu’à 1 200 To (modèle 2 To)
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MTBF : 1,500,000 heures
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 990 PRO
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe 4.0 x4 – NVMe 2.0
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Capacités : 1 TB
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Contrôleur : Samsung Pascal
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit TLC (7e génération)
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DRAM : Oui – LPDDR4 intégrée
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 7 450 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 6 900 Mo/s
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IOPS lecture/écriture : Jusqu’à 1 400K / 1 550K
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TBW (endurance) : Jusqu’à 1 200 To (modèle 2 To)
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MTBF : 1,500,000 heures
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 990 PRO
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe 4.0 x4 – NVMe 2.0
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Capacités : 2 TB
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Contrôleur : Samsung Pascal
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit TLC (7e génération)
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DRAM : Oui – LPDDR4 intégrée
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 7 450 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 6 900 Mo/s
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IOPS lecture/écriture : Jusqu’à 1 400K / 1 550K
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TBW (endurance) : Jusqu’à 1 200 To (modèle 2 To)
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MTBF : 1,500,000 heures
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 980 (Non-Pro)
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Capacité : 2TB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
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Contrôleur : Samsung Pablo
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture : Jusqu’à 3 000 Mo/s
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DRAM : Non – utilise Host Memory Buffer (HMB)
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Lecture/écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 500K / 480K
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Endurance (TBW) : 600 TBW
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MTBF : 1,500,000 heures
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Température de fonctionnement : 0°C à 70°C
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 980 (Non-Pro)
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Capacité : 1TB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
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Contrôleur : Samsung Pablo
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture : Jusqu’à 3 000 Mo/s
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DRAM : Non – utilise Host Memory Buffer (HMB)
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Lecture/écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 500K / 480K
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Endurance (TBW) : 600 TBW
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MTBF : 1,500,000 heures
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Température de fonctionnement : 0°C à 70°C
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 980 (Non-Pro)
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Capacité : 500 GB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.4
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Contrôleur : Samsung Pablo
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture : Jusqu’à 3 000 Mo/s
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DRAM : Non – utilise Host Memory Buffer (HMB)
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Lecture/écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 500K / 480K
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Endurance (TBW) : 600 TBW
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MTBF : 1,500,000 heures
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Température de fonctionnement : 0°C à 70°C
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Fonctionnalités :
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Modèle : Samsung 970 EVO Plus
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Capacité : 256GB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
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Contrôleur : Samsung Phoenix
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
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Lecture/Écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 600K / 550K
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Endurance (TBW) : 600 To
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MTBF : 1.5 million d’heures
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Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
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Technologies intégrées :
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Samsung Magician
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TRIM, S.M.A.R.T.
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AES 256-bit Encryption
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Dynamic Thermal Guard
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Modèle : Samsung 970 EVO Plus
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Capacité : 250GB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
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Contrôleur : Samsung Phoenix
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
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Lecture/Écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 600K / 550K
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Endurance (TBW) : 600 To
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MTBF : 1.5 million d’heures
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Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
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Technologies intégrées :
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Samsung Magician
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TRIM, S.M.A.R.T.
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AES 256-bit Encryption
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Dynamic Thermal Guard
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Modèle : Samsung 970 EVO Plus
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Capacité : 500GB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
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Contrôleur : Samsung Phoenix
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
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Lecture/Écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 600K / 550K
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Endurance (TBW) : 600 To
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MTBF : 1.5 million d’heures
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Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
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Technologies intégrées :
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Samsung Magician
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TRIM, S.M.A.R.T.
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AES 256-bit Encryption
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Dynamic Thermal Guard
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Modèle : Samsung 970 EVO Plus
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Capacité : 2TB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
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Contrôleur : Samsung Phoenix
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
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Lecture/Écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 600K / 550K
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Endurance (TBW) : 600 To
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MTBF : 1.5 million d’heures
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Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
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Technologies intégrées :
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Samsung Magician
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TRIM, S.M.A.R.T.
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AES 256-bit Encryption
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Dynamic Thermal Guard
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Modèle : Samsung 970 EVO Plus
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Capacité : 1 TB
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Format : M.2 2280
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Interface : PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
-
Contrôleur : Samsung Phoenix
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Mémoire : Samsung V-NAND 3-bit MLC (TLC)
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Vitesse lecture séquentielle : Jusqu’à 3 500 Mo/s
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Vitesse écriture séquentielle : Jusqu’à 3 300 Mo/s
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Lecture/Écriture aléatoire (IOPS) : Jusqu’à 600K / 550K
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Endurance (TBW) : 600 To
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MTBF : 1.5 million d’heures
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Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
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Technologies intégrées :
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Samsung Magician
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TRIM, S.M.A.R.T.
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AES 256-bit Encryption
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Dynamic Thermal Guard
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Capacité : 1 To (1000 Go)
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Format : 2.5 pouces, épaisseur 7 mm
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Interface : SATA III 6 Gb/s
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Type de mémoire : NAND Flash 3D TLC
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Vitesse de lecture séquentielle : jusqu’à 560 Mo/s
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Vitesse d’écriture séquentielle : jusqu’à 520 Mo/s
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Endurance (TBW) : jusqu’à 400 To écrits
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Temps moyen entre pannes (MTBF) : 1 750 000 heures
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Température de fonctionnement : 0°C à 70°C