Affichage de 321–336 sur 499 résultatsTrié par prix décroissant
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200 CFA
- Tension nominale : 10V
- Capacité : 1500µF
- Type : Électrolytique (polarité)
- Tolérance : Généralement ±20%
- Température de fonctionnement : De -40°C à +85°C (selon le modèle)
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200 CFA
- Tension nominale : 6.3V
- Capacité : 1000µF
- Type : Électrolytique (polarité)
- Tolérance : Généralement ±20%
- Température de fonctionnement : De -40°C à +85°C (selon le modèle)
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100 CFA
Un ressort de traction (également appelé ressort de tension) est un type de ressort conçu pour résister à une force de traction. Il travaille en opposition à une force de tirage, en stockant de l’énergie lorsque les extrémités du ressort sont tirées ou étirées, et il tend à revenir à sa longueur d’origine une fois…
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100 CFA
- Type de transistor : PNP.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 40V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 800mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 60V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 200mA.
- Gain en courant (hFE) : 30 à 150 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 60 à 320 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
- Fréquence de transition (ft) : 100 MHz.
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100 CFA
- Type : MOSFET N-channel.
- Tension maximale drain-source (Vds) : 200V.
- Courant maximal drain (Id) : 30A (à une température ambiante de 25°C).
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 0.09Ω (max à Vgs = 10V).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 à 4V.
- Puissance dissipée : 150W.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 100 à 800 (selon les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 80V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 15A.
- Puissance dissipée : Jusqu’à 150W.
- Gain en courant (hFE) : 40 à 320 (selon les conditions et les applications).
- Fréquence de transition (ft) : 20 MHz.
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100 CFA
- Type de transistor : NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 60V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 150mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : 500mW.
- Fréquence de transition (ft) : Environ 150 MHz, ce qui le rend adapté aux applications haute fréquence.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 300V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 500mA.
- Gain en courant (hFE) : 100 à 1000 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans des circuits de commutation à haute tension, amplificateurs audio de puissance, et pour des circuits de contrôle de relais.
- Boîtier : TO-220, permettant une dissipation thermique efficace.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN de puissance.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 25V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 800mA.
- Gain en courant (hFE) : Variable, généralement entre 40 et 320.
- Puissance dissipée : Jusqu’à 25W.
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, amplification de faible à moyenne puissance, et pour le contrôle de relais.
- Boîtier : Boîtier TO-220, permettant une bonne dissipation thermique.
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100 CFA
- Type : Transistor bipolaire à jonction (BJT) NPN.
- Tension maximale collecteur-émetteur (Vceo) : 45V.
- Courant maximal collecteur (Ic) : 100mA.
- Gain en courant (hFE) : 110 à 800 (selon le modèle et les conditions de fonctionnement).
- Applications : Utilisé dans les circuits de commutation, d’amplification faible puissance, et de signal.
- Boîtier : TO-18 (boîtier métallique cylindrique pour montage en surface).
- Fréquence de transition (ft) : 250 MHz (pour des applications RF et de commutation rapide).
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100 CFA
- Capacité : 10 picofarads (pF).
- Type : Condensateur tantale.
- Tension nominale : Généralement entre 25V et 100V.
- Tolérance : Peut varier, généralement entre ±5% et ±20%.
- Température de fonctionnement : De -40°C à 85°C ou plus, selon le type.
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100 CFA
- Type : Transistor à jonction bipolaire (BJT).
- Broches : Émetteur (E), Base (B), Collecteur (C).
- Types : NPN et PNP.
- Gain en courant (hFE) : Généralement entre 20 et 1000, en fonction du modèle (indique le facteur d’amplification).
- Tension collecteur-base (Vcb) : Entre 30V et 1200V selon le modèle.
- Tension collecteur-émetteur (Vce) : Typiquement entre 20V et 800V selon le modèle.
- Courant collecteur maximal (Ic) : Typiquement 100 mA à plusieurs dizaines d’ampères.
- Fréquence de transition (ft) : 1 MHz à plusieurs centaines de MHz (en fonction du transistor).
