Description
Le IRF3205 est un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de type N-channel conçu pour des applications de puissance élevée
ACTIFS
Transistor IRF3205
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- Type de transistor : MOSFET N-channel.
- Tension de drain-source maximale (Vds) : 55V.
- Courant maximal de drain (Id) : 120A (avec un refroidissement adéquat).
- Rds(on) (résistance de drain à source à l’état « on ») : 0,008Ω (très faible, permettant un faible échauffement lors de l’utilisation).
- Tension de seuil (Vgs(th)) : Entre 2V et 4V (tension nécessaire pour activer le transistor).
- Puissance dissipée : Jusqu’à 250W (en fonction des conditions de dissipation thermique).
- Fréquence de commutation : Peut fonctionner efficacement dans des applications de commutation à haute fréquence.
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