Tension de drain-source maximale (Vds) : 400V
Courant de drain maximal (Id) : 10A
Résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) : 1.0 Ω à Vgs = 10V
Tension de seuil de la grille (Vgs(th)) : 2V à 4V
Tension grille-source maximale (Vgs) : ±20V
Puissance dissipée maximale (Ptot) : 125W
Le IRF740 est un transistor MOSFET de type N-channel conçu principalement pour la commutation et l’amplification dans des applications haute tension. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les convertisseurs de puissance, et d’autres circuits de commutation rapide.
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